静电敏感度的确认-典型器件的HBM敏感度
静电敏感度的确认主要是利用公认的模型对器件进行实际测试，确定器件ESD敏感度。我国目前已有HBM模型的试验和分级标准GJB 548B-2005《微电子器件试验方法和程序》，实际测试时按照所规定的方法进行HBM分级试验，确定元器件HBM敏感度。当然，作为元器件的生产和使用单位，一般不具有静电敏感度的试验设备、试验环境、试验人员等。而且敏感度试验具有风险性和破坏性，增加了相关成本。当需要通过试验获得电子元器件HBM敏感度时，可选择具有相关资质的敏感度试验中心或实验室提供支持和服务。另外，除了直接利用试验获得ESD的敏感度外，也可以根据实际情况，从以下几种方法中选取。
1）利用厂家敏感度数据。收集、保存元器件供应商和厂家提供的器件敏感度数据和资料，作为确定本单位所用元器件 ESD敏感度的依据。
2）利用敏感度数据手册。购买美国IIT Research Institute／可靠性分析中心（RAC）出版物的敏感度数据，如：VZAP“Electrostat-ic Discharge Susceptibility Data”，内有22000种器件敏感度数据； QML-19500“Qualified Manufacturers List of Products Qualified Under Military Specification MIL -PRF195000”，军用半导体器件合格制造商产品目录；QML-38535“Qualified Manufactures List of Advanced Microcircuits Qualified Under Military Specification MIL-PRF38535”，军用微电路合格制造商名录。
3）利用典型电子器件的HBM敏感度资料。可参考表4-11提供的资料和信息，大致确定所处置的ESDS元器件的最敏感电压范围或敏感度。
4）如果缺乏任何有关信息，可假设所处置的所有ESD敏感产品都具有HBM 100V电压的敏感度。这是因为美国标准S20.20和国际标准IEC 61340 都适用于大于或等于ESDS HBM 100V器件，说
明绝大多数产品满足这个要求。
典型器件的HBM敏感度
典型器件 HBM敏感度| 器件类型 | 敏感电压／V | 器件类型 | 敏感电压／V |
| MOS FET | 100~200 | ECL电路 | 300~2 500 |
| J FET | 140~1 000 | SCL（可控硅） | 680~1000 |
| GaAs FET | 100~300 | S-TTL | 300~2 500 |
| CMOS EPROM | 250~2000 | DTL | 380~7 000 |
| HMOS | 50~500 | 石英及压电晶体 | <10 000 |
| E/DMOS | 200~1000 | （厚、薄）膜电阻器 | 300~3000 |
| VMOS | 30~1 800 | 混合一单片IC | 190~2500 |
| PROM | 100 | Schottky二级管 | 300~2 500 |
| 磁阻记录头（MR Heads） | 1~100 | 场效应管（RF FETs） | 1~100 |
| 声表面波器件（SAW devices） | 1~100 | 平板显示与电荷耦合器件 | 50~150 |
HBM敏感度应用最广，美国标准S20.20和国际标准IEC61340也是主要针对人体模型而规定的ESD控制措施，了解HBM敏感度也最为重要。在缺少敏感度充分信息的条件下，了解典型结构、典型类型元器件的ESD敏感度，具有重要参考意义。
表4-11为一些最新技术报告提供的典型电子器件的HBM敏感电压参考范围。同一型号电子器件的敏感度因制造厂、生产批次的不同而有区别，实际的ESD敏感度应由元器件的生产厂家提供，或由经验获得。
根据共识，机器模型和带电器件模型中的ESD敏感度电压要比人体模型的小许多。例如，MM模型中要比HBM中的阈值小10～20倍。这样一来，不少器件的阈值甚至降低到1V以下，这就使得ESD防护技术变得十分严峻。无怪乎有的欧洲学者在国际学术会议上感叹道：面对严峻形势，电子制造商将面对永不休止的战斗。
